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Kentron公司给出的QBM与其他内存方案的成本比较表，从中可以看出QBM有较高的性价比
但是，开关元件的同步性对于QBM是个考验，时钟频率越高，对开关的控制精度就越高。目前，有不少大牌的模组厂商（如Infineon）都在论证QBM的可行性与可靠性，据部分厂商透露，在使用DDR-333或之前标准时，QBM的表现良好，但到了DDR-400，QBM的可靠性就会降低，如果克服这一个问题，那么延迟又会大幅提高。所以，QBM目前的可行标准是QBM533（DDR-266）和QBM667（DDR-333）。VIA在P4X800中将要支持的标准也是QBM533，虽然不能使用DDR-400，但它的5.4GB/s带宽（QBM667）在目前仍是无敌的。
不过，由于QBM是针对模组的技术，所以理论上QBM可适用于任何DIMM，包括SDRAM和DDR-Ⅱ的DIMM，Kentron也有此计划研制QBM型DDR-Ⅱ DIMM，以保持QBM的生命力。另外，Kentron已将QBM标准上报JEDEC审批，目前还不知能否通过。很多模组厂商也都在观望，毕竟QBM转产是很容易的，就看市场情况了。所以，QBM虽然设计巧妙，但得到的支持并不强劲，以Kentron及QBM联盟的生产能力，显然不足以完成普及任务，一切就看P4X800的市场效果了。
三、模组的堆叠装配
当内存芯片容量无法迅速提高的时候，高容量模组如何设计就体现了厂商间的真正实力，由于高容量模组针对的是高端应用市场，所以谁能在容量上有所突破就意味着滚滚商机。就模组而言，芯片基本是固定的，所以芯片堆叠装配（Stack Assembly）技术就是增加容量的首选。
这方面除了Elpida、Kentron、Kingston等公司较早以前提出的TCP、FEMMA、EPOC等堆叠形式外（已有多篇文章介绍过，在此不再重复），著名的封装技术开发商Tessera公司（它在1990年因研制出CSP封装而闻名于世）近期宣布了他们的4枚芯片堆叠装配的模组技术（TCP与EPOC都是两芯片堆叠）——μZ Package，当然，芯片本身的封装也要有相应的调整。而Infineon公司也推出了普通TSOP-II技术的双芯片堆叠装配技术。显然，模组厂商都想利用有限的空间（毕竟在主板上插槽之间的距离是有限的）尽量提高装配容量，若再配合SiP封装形式的内存芯片，DIMM的扩容就如虎添翼了。
Infineon的采用TSOP-II堆叠封装的模组，容量高达2GB
Tessera公司为高容量模组开发的4枚芯片堆叠装配技术μZ Package
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